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J-GLOBAL ID：200903093562430230

炭化珪素半導体装置およびそれを用いた電力変換器

Inventor：
安田 俊夫

About 安田 俊夫

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小野瀬秀勝

About 小野瀬秀勝

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八尾 勉

About 八尾 勉


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000006320
Publication number (International publication number)：2001196605
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】高ゲート/ドレイン間耐圧および高ソース/ゲート間耐圧を同時に達成する炭化珪素半導体装置の提供。【解決手段】第2導電型ゲート領域と第1導電型ソース領域の距離が最小となる第2導電型ゲート領域内の部位の第1主表面への投影点が、前記第1導電型ソース領域の幅が最大となる第1導電型ソース領域内の部位の第1主表面への投影点よりソース電極に近く、かつ、第1導電型ソース領域/高抵抗第1導電型第1基体間の境界と、第2導電型ゲート領域/高抵抗第1導電型第1基体間の境界が接しあるいは重なり、かつ、第1導電型ソース領域/第2導電型ゲート領域間の境界の第2導電型不純物濃度が第2導電型ゲート領域に含まれる第2導電型不純物濃度の極大値以下である炭化珪素半導体装置。
Claim (excerpt)：
第1主表面を有する高抵抗第1導電型第1基体と、前記高抵抗第1導電型第1基体より低抵抗の第2主表面を有する第1導電型第2基体から成る二層構造の基体の第1主表面側に、選択的に第1導電型ソース領域と第2導電型ゲート領域を設けた炭化珪素半導体装置において、前記第2導電型ゲート領域と前記第1導電型ソース領域の距離が最小となる前記第2導電型ゲート領域内の部位の前記第1主表面への投影点が、前記第1導電型ソース領域の幅が最大となる前記第1導電型ソース領域内の部位の前記第1主表面への投影点より前記ソース電極に近く、前記第1導電型ソース領域/前記高抵抗第1導電型第1基体間の境界と前記第2導電型ゲート領域/前記高抵抗第1導電型第1基体間の境界が接しあるいは重なり、前記第1導電型ソース領域/前記第2導電型ゲート領域間の境界の前記第2導電型不純物濃度が前記第2導電型ゲート領域に含まれる第2導電型不純物濃度の極大値以下となっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/80 ,  H02M 7/537
FI (2)：
H02M 7/537 E ,  H01L 29/80 V
F-Term (17)：
5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007HA00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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