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J-GLOBAL ID：200903013794149178

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高橋 邦方 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉 ,  北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002121783
Publication number (International publication number)：2003318388
Application date： Apr. 24, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 実使用に耐え得る耐圧性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、原料ガス及びドーパントガスの供給量を変化させることにより、SiCからなる基板1と同じ導電型の不純物を基板1よりも高い濃度で含む高濃度不純物ドープ層2を形成する工程と、高濃度不純物ドープ層2の上に高濃度不純物ドープ層2と同じ導電型の不純物を含むSiCからなるエピタキシャル成長層3を形成する工程とを含む。この方法により、耐圧性が向上し、電力損失も抑えられた半導体装置を実現することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の不純物を含む第1の半導体層と、上記第1の半導体層上に設けられ、上記第1の半導体層よりも高い濃度で第1導電型の不純物を含む半導体からなる第1の高濃度不純物ドープ層と、上記第1の高濃度不純物ドープ層の上に設けられ、上記第1の高濃度不純物ドープ層よりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む第2の半導体層とを備え、動作時には、キャリアが上記第1の半導体層、上記第1の高濃度不純物ドープ層及び上記第2の半導体層を通過して走行する半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/47 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/872

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/91 B

F-Term (21)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045DA60 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社