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J-GLOBAL ID：200903081161002025

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法

Inventor： 松波 弘之 ,  木本 恒暢 ,  塩見 弘
Applicant, Patent owner： 松波 弘之 ,  木本 恒暢 ,  株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  三菱商事株式会社 ,  住友電気工業株式会社
Agent (2)： 長谷川 芳樹 (外3名) ,  長谷川 芳樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999127471
Publication number (International publication number)：2000319099
Application date： May. 07, 1999
Publication date： Nov. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電子移動度の異方性が小さく且つSiC基板とSiCエピタキシャル成長層との格子不整合による歪みを緩和できるSiCウエハ、これを備えた半導体デバイス、およびSiCウエハの製造方法の提供。【解決手段】 面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板2と、SiC基板2上に形成されたSiCからなるバッファ層4と、を備える。

Claim (excerpt)：

面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板と、前記SiC基板上に形成されたSiCからなるバッファ層と、を備えることを特徴とするSiCウエハ。

IPC (9)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (10)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/74 Q ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/91 F

F-Term (44)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB07 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077EE04 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  5F005AE09 ,  5F040DA05 ,  5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F040EC10 ,  5F040ED03 ,  5F040EH02 ,  5F040FC11 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045CA06 ,  5F045CB02 ,  5F045CB04 ,  5F045DA59 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F045GH02 ,  5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-115878   Applicant：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-021159   Applicant：株式会社東芝
• 炭化けい素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221244   Applicant：富士電機株式会社
• 特公昭59-048792
  
• 特開昭62-214613
  
• 単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-223986   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特許第2804860号
  

Cited by examiner (7)

• 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-115878   Applicant：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-021159   Applicant：株式会社東芝
• 炭化けい素半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221244   Applicant：富士電機株式会社
• 特公昭59-048792
  
• 特開昭62-214613
  
• 単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-223986   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特許第2804860号