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J-GLOBAL ID：200903013877777332

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 熊谷 幸博 ,  三浦 英生 ,  太田 裕之 ,  岩崎 富生 ,  浅野 勇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067840
Publication number (International publication number)：2000269455
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、蓄積容量と、銅を主導電性膜とする配線を有する半導体装置において、信頼性の高い半導体装置を提供することである。【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の一主面側に形成された、容量絶縁膜を介して第一の電極と第二の電極とが配設された蓄積容量と、前記半導体基板の一主面側に形成された銅(Cu)元素を含有した配線と、この配線の表面に形成された第一の膜とを備えた半導体装置において、前記第一の電極および/または前記第二の電極を構成する材料と、前記第一の膜を構成する材料に同じ元素を含有させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板の一主面側に形成された、容量絶縁膜を介して第一の電極と第二の電極とが配設された蓄積容量と、前記半導体基板の一主面側に形成された銅(Cu)元素を含有した配線と、この配線の表面に形成された第一の膜とを備えた半導体装置であって、前記第一の電極および/または前記第二の電極を構成する材料と、前記第一の膜を構成する材料には同じ元素が含有されていることを特徴とした半導体装置。

IPC (7)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

F-Term (54)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AG09 ,  5F001AG40 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK33 ,  5F033LL02 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX05 ,  5F033XX12 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083FR02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12