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J-GLOBAL ID：200903013976314573
圧電共振子回路およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003072658
Publication number (International publication number)：2004282514
Application date： Mar. 17, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】半導体集積回路と圧電薄膜共振子を集積化した圧電共振子回路を提供する。【解決手段】CMOS回路がダメージを受けて特性劣化することなく、 エアーギャップの音響絶縁構造を形成するよう、この犠牲層の材料としてゲルマニウム(Ge)を用いること、およびこれを除去するために過酸化水素水(H2O2)を用いてエッチングすること、を基本とした工程によって半導体集積回路上にエアーギャップ音響絶縁構造を有する圧電薄膜共振子を形成する。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
エアーギャップ音響絶縁構造を有する圧電薄膜共振子を半導体素子または半導体集積回路を有する同一基板上に形成した構成を有することを特徴とした圧電共振子回路。
IPC (7)：
H03H9/17
, H01L41/08
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/22
, H03H3/02
, H03H9/02
H03H9/17 F
, H03H3/02 B
, H03H9/02 K
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 D
, H01L41/22 Z
5J108AA03
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108EE01
, 5J108KK01
, 5J108KK07
, 5J108MM11
