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J-GLOBAL ID：200903012356093660

マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜

Inventor： フランク, アンドレア ,  ホウ, ロジャー, ティ. ,  キング, ツ-イェ
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア
Agent (1)： 山田 行一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000593787
Publication number (International publication number)：2002534285
Application date： Jan. 14, 2000
Publication date： Oct. 15, 2002
Summary：

【要約】本発明は、シリコンゲルマニウム膜を用いるマイクロ電子機械システムに関する。マイクロ電子機械システムを形成する方法は、基板上へシリコンゲルマニウムの犠牲層を堆積するステップと、前記犠牲層の上へシリコンゲルマニウムの構造層を堆積し、前記犠牲層の前記ゲルマニウム含有量は前記構造層の前記ゲルマニウム含有量より多くするステップと、少なくとも一部の前記犠牲層を除去するステップとを含む。マイクロ電子機械システムは、基板と、前記基板上に形成される、0<x≦1であるSi<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>の一つ以上の構造層と、前記基板上に形成される一つ以上のトランジスタとを備える。

Claim (excerpt)：

マイクロ電子機械システムを形成するための方法であって、 基板上へシリコンゲルマニウムの犠牲層を堆積するステップと、 前記犠牲層の上へシリコンゲルマニウムの構造層を堆積し、前記犠牲層の前記ゲルマニウム含有量は前記構造層の前記ゲルマニウム含有量より多くするステップと、 少なくとも一部の前記犠牲層を除去するステップと を含む方法。

IPC (4)：

B81C 1/00 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3)：

B81C 1/00 ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/88 S

F-Term (18)：

5F033HH03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033PP03 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ25 ,  5F033RR30 ,  5F033XX23 ,  5F048AC03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体マイクロマシンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032963   Applicant：アイシン精機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-296496   Applicant：日本電気株式会社
• 犠牲金属層を有する多重レベル深X線リトグラフィによる微小構造体の形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-088578   Applicant：ウィスコンシンアラムニリサーチファンデーション