薄膜半導体装置及び液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068783
Publication number (International publication number)：1997260672
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】スループットの低下がなく、信頼性の高い、デバイス特性の優れた薄膜半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板上に形成された薄膜半導体層と、この薄膜半導体層に形成された薄膜トランジスタとを具備し、前記薄膜トランジスタは、高抵抗半導体領域からなるチャネル領域と、このチャネル領域に接して配置された低抵抗半導体領域からなるドレイン領域およびソース領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、テ-パ-状の上部側壁と、ほぼ垂直の下部側壁とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板上に形成された薄膜半導体層と、この薄膜半導体層に形成された薄膜トランジスタとを具備し、前記薄膜トランジスタは、高抵抗半導体領域からなるチャネル領域と、このチャネル領域に接して配置された低抵抗半導体領域からなるドレイン領域およびソース領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、テ-パ-状の上部側壁と、ほぼ垂直の下部側壁とを有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 617 K , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-346434
特開昭59-029289
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-066296 Applicant：ソニー株式会社

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