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J-GLOBAL ID：200903014005611233

多層配線の形成方法

Inventor：
坂村 正二

About 坂村 正二


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124311
Publication number (International publication number)：1994333928
Application date： May. 26, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 多層配線の形成において、パターンの疎密に起因する配線層の形状や寸法のばらつきを小さくし、かつパターンの疎密によって失われた平坦性を回復すること。【構成】 半導体基板(11)上にポリシリコン配線をパターニングする際に、実際の配線として使用するポリシリコン配線層(12)に加えて、ダミーのポリシリコン配線層(121)を同時にパターニングする。同様に、上層配線層においても、第1のAl配線層(14)とダミーの第1のAl配線層(141)とを同時に形成し、第2のAl配線層(16)とダミーの第2のAl配線層(161)とを同時に形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の多層配線の形成方法において、n層目の配線層をパターニングするに際して、該配線層のパターン密度がある一定値以上となるように、半導体素子間を接続しないダミーの配線層を同時にパターニングすることを特徴とした多層配線の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/90
FI (2)：
H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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