半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995121030
Publication number (International publication number)：1996045927
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】この発明の目的は、耐電圧が高く、信頼性の低下を防止でき、薄膜化が可能であり、複合絶縁膜に適した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】トレンチ33を有する半導体ウエハ31を炉内に挿入し、減圧状態で炉内にNH3 ガスを導入し、温度が850 °C、H2 O分圧及びO2 分圧が10-4Torr以下の雰囲気とする。トレンチ33内表面の不純物拡散層上に形成された自然酸化膜は除去され、これと同時に不純物拡散層の上に熱窒化膜35が直接形成される。次に、同一炉内で熱窒化膜35を外気に晒すことなく連続して、熱窒化膜上にCVD窒化シリコン膜36を形成する。このCVD窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜37を形成し複合絶縁膜が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体層と、前記半導体層上に直接設けられ、酸素の濃度が1.36×1015(atoms/cm2)以下の熱窒化膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 625 B , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-189162 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法およびその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-223788 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-016763

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