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J-GLOBAL ID：200903014053356920

マイクロメカニカルセンサ

Inventor： シャイター、トーマス ,  ネーエル、ウルリッヒ ,  ヒエロルト、クリストファー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998524142
Publication number (International publication number)：2001508940
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】相対圧力センサ又は超小型化マイクロフォンはSOI基板のボディー・シリコン層(3)上に設置されたポリシリコンダイヤフラムを有するマイクロメカニカルデバイスとして設計されている。基板内の裏側にはボディー・シリコン層内の開口(10)を介してダイヤフラムとボディー・シリコン層間の空洞(6)と接続されている空所(9)が存在する。従ってこの開口によりダイヤフラムの振動静止時に空洞内の圧力平衡が生じる。測定は導電性にドープされたダイヤフラム及びボディー・シリコン層内に形成されたドープ領域(8)の電気接点(12、13)により容量的に行われる。

Claim (excerpt)：

ボディー・シリコン層(3)、絶縁層(2)及びバルク・シリコン層(1)を有するSOI基板上のマイクロメカニカルセンサにおいて、 ボディー・シリコン層上に間隔層(4)及びその上にダイヤフラム層(5)が載っており、 ダイヤフラムを形成するためこの間隔層(4)内に空洞(6)が設けられ、ダイヤフラム(7)を形成するダイヤフラム層の範囲内で間隔層が除去されており、 ダイヤフラム層がダイヤフラムを形成する範囲の少なくとも一部で導電性に形成されているか又は導電性層を備えられており、また電気接続用に接点(12)が設けられ、 ボディー・シリコン層内の層平面に対し垂直なダイヤフラムの投影面内にドープ領域(8)が形成されており、またそこに電気接続用の接点(13)が設けられ、 層平面に対し垂直なダイヤフラムの投影面内で絶縁層の材料とバルク・シリコン層の材料が除去されて空所(9)が設けられ、また 層平面に対し垂直なダイヤフラムの投影面内でボディー・シリコン層(3)が空洞を空所に接続する開口(10)を有しているマイクロメカニカルセンサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/12

FI (2)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 9/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 表面マイクロ加工された対称形差圧センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-030510   Applicant：ヴァイサラオイ
• 特開平4-299871