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J-GLOBAL ID：200903014062663819

半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置

Inventor： 大谷 茂樹 ,  須田 淳 ,  木下 博之
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  京セラ株式会社 ,  大谷 茂樹 ,  須田 淳
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000228903
Publication number (International publication number)：2002043223
Application date： Jul. 28, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN系などの窒化物半導体層と結晶格子の整合性の高い成長用の基板を提供する。【解決手段】 化学式XB2(但し、XはTi若しくはZrの少なくとも1種を含む)で表される二硼化物単結晶を、半導体層成長用の基板とする。特に、この結晶の(0001)面を主面に利用して、ガリウム、アルミニウムなどの窒化物半導体層の成長に使用する。二硼化物単結晶の(0001)面と窒化物半導体層との格子整合性と熱膨張率の整合性が高く、成長層の格子欠陥を低減でき、成長層が熱的に安定化され、基板の放熱特性を高めて、半導体装置の性能を高める。このような基板は、特に、上記半導体層中にGaN系の半導体発光層を含む発光ダイオードなどの半導体装置の形成に有効に利用できる。

Claim (excerpt)：

化学式XB2(但し、XはTi若しくはZrの少なくとも1種を含む)で表される二硼化物単結晶から成り、主面上に半導体層を成長させるための半導体層形成用基板。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C30B 29/12 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/203 M ,  C30B 29/12 ,  H01L 33/00 C

F-Term (26)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA01 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH10 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103PP01 ,  5F103PP06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 標準試料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211159   Applicant：日本電信電話株式会社