層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993109101
Publication number (International publication number)：1994326200
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により成膜した層間絶縁膜の膜質を向上させる方法を提供する。【構成】段差を有する基体上に、TEOS/H2O/NH3系のガスを用いて、プラズマCVD法にて第2層間絶縁膜4を形成する。その後、NH3ガスを用いてプラズマ処理を施し、第2層間絶縁膜4中の脱水縮合を促進させる。これにより、膜中の炭素原子は膜外に除去され、層間絶縁膜の膜質が向上する。

Claim (excerpt)：

有機シリコン系化合物と酸化剤との反応により、基体上へ層間絶縁膜を成膜する層間絶縁膜の形成方法において、前記層間絶縁膜の成膜後に、該層間絶縁膜表面にプラズマ処理を行うことを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 , C23C 16/50 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-041731
特開平1-239940
半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068857 Applicant：川崎製鉄株式会社

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