半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078939
Publication number (International publication number)：1999274433
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】エピタキシャル・キャパシタを使用した半導体メモリにおいて、信頼性が高くかつ超高集積化が可能なメモリセルを提供すること。【解決手段】半導体基板1上に第一の電極膜3及び誘電体膜4をいずれもエピタキシャル成長させる工程と、誘電体膜4上に第二の電極膜5を形成してキャパシタとなる積層構造を形成する工程と、この積層構造の一部を除去して半導体基板1の表面を露出する工程と、この半導体基板1の露出表面11から単結晶半導体層12をエピタキシャル成長させる工程と、単結晶半導体層12にトランジスタを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第一の電極膜及び誘電体膜をいずれもエピタキシャル成長させる工程と、前記誘電体膜上に第二の電極膜を形成してキャパシタとなる積層構造を形成する工程と、この積層構造の一部を除去して前記半導体基板の表面を露出する工程と、この半導体基板の露出表面から単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記単結晶半導体層にトランジスタを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-253289 Applicant：株式会社東芝
半導体素子のキャパシタ構造及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-059972 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-280671

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