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J-GLOBAL ID:200903014294727104
磁気記憶装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (8):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004318215
Publication number (International publication number):2006128565
Application date: Nov. 01, 2004
Publication date: May. 18, 2006
Summary:
【課題】データの書き込みに必要な電流を低減する。【解決手段】磁気記憶装置は、印加される磁界の方向によって磁化方向が反転する磁気記録層19Dと、磁化方向が固定された磁化固着層19Bとを含み、且つ磁気抵抗効果により情報を記憶するメモリセル19と、第1方向に延在し、且つ前記第1方向と直交する第2方向において前記磁気記録層19Dの幅より狭い幅を有し、且つ前記メモリセル19に前記情報を書き込む配線層11とを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
印加される磁界の方向によって磁化方向が反転する磁気記録層と、磁化方向が固定された磁化固着層とを含み、且つ磁気抵抗効果により情報を記憶するメモリセルと、
第1方向に延在し、且つ前記第1方向と直交する第2方向において前記磁気記録層の幅より狭い幅を有し、且つ前記メモリセルに前記情報を書き込む配線層と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (3):
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 43/08
FI (3):
H01L27/10 447
, H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
F-Term (9):
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083PR40
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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米国特許第5,659,499号明細書
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磁気記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-157484
Applicant:株式会社東芝
Cited by examiner (4)