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J-GLOBAL ID：200903001351203350

磁気記憶装置

Inventor： 斉藤 好昭 ,  猪俣 浩一郎 ,  天野 実 ,  砂井 正之 ,  中島 健太郎 ,  高橋 茂樹 ,  岸 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001157484
Publication number (International publication number)：2002110938
Application date： May. 25, 2001
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】書き込み時の消費電力が低減された磁気記憶装置を提供すること。【解決手段】本発明の磁気記憶装置10は、相互に交差し且つ離間した第1及び第2の配線14,15と、第1及び第2の配線14,15が相互に交差する領域内に位置し、磁化固着層21、磁気記録層23、及び磁気記録層23と磁化固着層21との間に介在する非磁性層22を備えた磁気抵抗効果膜13と、コバルトを含有する高飽和磁化ソフト磁性材料及び金属-非金属ナノグラニュラ膜のいずれか一つを含み且つ少なくとも上記領域内で第1の配線15の磁気抵抗効果膜13との対向面の裏面と対向する底部及び第1の配線15の両側面とそれぞれ対向する1対の側壁部を形成した第1の磁性膜18とを具備する。

Claim (excerpt)：

相互に交差し且つ離間した第1及び第2の配線と、前記第1及び第2の配線が相互に交差する領域内に位置し、磁化固着層、磁気記録層、及び前記磁気記録層と前記磁化固着層との間に介在する非磁性層を備え、前記磁気記録層は前記第1及び第2の配線のそれぞれに書込電流を流すことにより生じる磁界の方向を第1の方向と前記第1の方向とは逆方向の第2の方向との間で変化させた場合にその磁化の方向を反転させ、前記磁化固着層は前記磁界の方向を前記第1の方向と前記第2の方向との間で変化させた場合にその磁化の方向を実質的に保持する磁気抵抗効果膜と、コバルトを含有する高飽和磁化ソフト磁性材料及び金属-非金属ナノグラニュラ膜のいずれか一つを含み且つ少なくとも前記領域内で前記第1の配線の前記磁気抵抗効果膜との対向面の裏面と対向する底部及び前記第1の配線の両側面とそれぞれ対向する1対の側壁部を形成した第1の磁性膜とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (7)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (21)：

5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA31 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA27 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR00 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-255308   Applicant：三洋電機株式会社
• 磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-185479   Applicant：株式会社東芝