Pat
J-GLOBAL ID：200903014313541866

薄膜半導体素子及び薄膜半導体装置ならびにその製造方法および製造装置

Inventor：
浅井 伸利

About 浅井 伸利


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996146865
Publication number (International publication number)：1997330789
Application date： Jun. 10, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 マスクづれによる形成不良を排除し、真空槽を開くことなく一貫した製造工程が可能な薄膜半導体素子ならびに薄膜半導体装置の製造方法および製造装置と、すぐれた特性の薄膜半導体素子ならびに薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 薄膜半導体素子の薄膜層1を、基板2から所定の距離だけ離れたマスク3に設けた開口部3Aに直角方向に通過した薄膜層材料11aの堆積で基板2上に形成させ、ついで基板2とマスク3の位置関係を保持しつつ保護封止材料12a、13aを、斜め角度θ12、θ13で開口部3Aを通過させて薄膜層1上および基板2上に成膜させ、保護封止材料12a、13aの薄膜層1上および基板2上への成膜の反復により、部分的に重畳して薄膜層1を覆う保護封止層5A、5Bを成膜形成させる。
Claim (excerpt)：
薄膜半導体素子の薄膜層を、基板から所定の距離だけ離れたマスクに設けた開口部に直角方向に通過した薄膜層材料の堆積で基板上に形成させ、ついで前記基板〜マスクの位置関係を保持しつつ保護封止材料を、斜め角度で前記開口部を通過させて前記薄膜層上および前記基板上に成膜させ、前記保護封止材料の前記薄膜層上および前記基板上への成膜の反復により、部分的に重畳して前記薄膜層を覆う保護封止層を成膜形成させることを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H05B 33/10 ,  G09F 13/22 ,  H05B 33/12
FI (3)：
H05B 33/10 ,  G09F 13/22 ,  H05B 33/12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 有機電界発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000876   Applicant：積水化学工業株式会社
  • 蒸着メッキ材の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-327847   Applicant：株式会社神戸製鋼所
  • 特開平4-212284
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM