半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996023622
Publication number (International publication number)：1997219448
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐酸素プラズマ性、耐吸湿性及び耐熱性を損なうことなく層間絶縁膜の比誘電率を低減する。【解決手段】半導体基板上に下層の金属配線層を形成する下層配線層形成工程と、前記下層の金属配線層の上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜の上に上層の金属配線層を形成する上層配線層形成工程とを備えている。絶縁膜形成工程は、フッ素-シリコン結合を有するシラノール縮合体微粒子の溶液と、有機基-シリコン結合を有するシラノール縮合体微粒子の溶液とを混合して混合液を得た後、該混合液を下層の金属配線層が形成された半導体基板に塗布し、塗布された混合液を熱処理して前記層間絶縁膜を形成する工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下層の金属配線層を形成する下層配線層形成工程と、前記下層の金属配線層の上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜の上に上層の金属配線層を形成する上層配線層形成工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜形成工程は、互いに組成が異なる第1のシリカゾルの溶液と第2のシリカゾルの溶液とを混合して混合液を得た後、該混合液を前記下層の金属配線層が形成された半導体基板に塗布し、塗布された混合液を熱処理して前記層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 S , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-359056
特開昭56-129261
特開昭63-143846

Show all

Return to Previous Page