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J-GLOBAL ID：200903014357028015

ダイヤモンド合成法及びそれに用いる合成装置

Inventor： 三友 亨 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265179
Publication number (International publication number)：1993097581
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、種々の膜質のダイヤモンド薄膜を容易に、しかも安定して合成することのできるダイヤモンド薄膜合成法とそれに用いられる合成装置を得ること。【構成】 ダイヤモンド薄膜を合成する気相成長部(30)は膜質制御部(31)に接続されており、この気相成長部(30)には開口(13)、(13 ́)が設けられている。膜質制御部(31)からのレーザ光(12)は、この開口(13)を通過して反応管(5)内に設置されている基体(8)上に照射され、また基体(8)からの散乱光・発光(14)は、開口(13 ́)を通過することによって観測されるようになっている。膜質制御部(31)には、この散乱光もしくは発光(14)を観測して検出する分光器(15)及び光検出器(16)が設けられ、さらに、その光検出器(16)で得られた結果を処理してダイヤモンド薄膜の合成条件を制御するデータ処理装置(17)が設置されている。

Claim (excerpt)：

気相成長法により基板上にダイヤモンド薄膜を合成する際、該ダイヤモンド薄膜に光を照射し、該ダイヤモンド薄膜からの光を検出して成膜条件を制御しながら合成することを特徴とするダイヤモンド合成法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16