T形断面のレジストパターンおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果型薄膜素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215216
Publication number (International publication number)：1997096909
Application date： Jul. 26, 1996
Publication date： Apr. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗効果型薄膜素子の電極パターン等を形成する際の不良品率を極めて低く抑えるために、良好なコントラストのT形断面を有するレジストパターンを提供する。【解決手段】画像反転対応ポジ型レジストを用いて形成された均質なレジストパターンであって、断面110がT形状であり、その横バー部分下縁116の接線と基板表面122とがなす最小角をαとし、横バー部分最外側縁118から下ろした垂線と基板表面との交点Woと、縦バー部分112側縁と基板表面との接点Wiとの中間での横バー部分下縁116と基板表面との間隔をhとしたとき、h-αグラフにおいてαおよびhが、A:α= 0°、h=0.01μm 、B:α=20°、h=0.01μm 、C:α=20°、h=0.2μm 、D:α= 0°、h=0.3μm を通る四辺形内(辺上を含む)に存在する。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドとの混合物を含有するポジ型レジストにネガティブワーキング化剤が添加されて画像反転機能が付与されたレジスト剤を用いて形成された実質的に均質なレジストパターンであり、断面形状が、基板表面から上に延び実質的にT形の縦バー部を構成する縦バー部分と、この縦バー部分に連続し基板表面に対して間隔を置いた状態で横に延び実質的にT形の横バー部を構成する横バー部分とを備えるT形状であり、前記断面形状において、横バー部分下縁の接線と基板表面とのなす角のうちの最小値をαとし、横バー部分最外側縁から基板表面に下ろした垂線と基板表面との交点Woと、前記最外側縁側の縦バー部分側縁と基板表面とが接する点Wiとの中間位置における横バー部分下縁と基板表面との間隔をhとしたとき、h-αグラフにおいてαおよびhがA:α= 0°、h=0.01μm 、B:α=20°、h=0.01μm 、C:α=20°、h=0.2μm 、D:α= 0°、h=0.3μmの4点をこの順で結んだ四辺形で囲まれた範囲内(辺上を含む)に存在するT形断面のレジストパターン。

IPC (7)：

G03F 7/26 513 , G03F 7/022 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 43/08

FI (7)：

G03F 7/26 513 , G03F 7/022 , G03F 7/20 521 , G03F 7/38 511 , H01L 43/08 D , H01L 21/302 C , H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

フォトレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-225406 Applicant：株式会社東芝

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