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J-GLOBAL ID：200903014464281491

レジスト除去方法

Inventor： 清水 裕司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326627
Publication number (International publication number)：2001144006
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 オゾン溶解水を用いたレジスト膜の除去方法において、エッチングレートを向上させ、処理時間を短縮する。【解決手段】 上面にレジスト膜の形成されたウェーハ上に、オゾン溶解水と共にアンモニア水や過酸化水素水等のオゾン分解触媒となりうる薬液を添加する。これにより、オゾン溶解水の温度を上げずに、エッチングレートを高めることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ上に形成されたレジスト膜上に、オゾン溶解水およびオゾン分解触媒液を供給することにより前記レジスト膜を除去するレジスト除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42

FI (3)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/30 569 F

F-Term (3)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-111308
  
• 特開平1-189921
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-310407   Applicant：株式会社日立製作所