Pat
J-GLOBAL ID:200903014526472795

ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 清路
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000099290
Publication number (International publication number):2001281192
Application date: Mar. 31, 2000
Publication date: Oct. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】 常温において作動させることができ、ガス選択性及び感度が十分に高く、アンモニアガス及びアミン系ガスの検知に有用なガスセンサを提供する。【解決手段】 キャビティ1b1が形成されたシリコン基板1b等の半導体基板上に、導電性有機膜3と、この導電性有機膜と接する検知電極2とが形成されたガスセンサを得る。導電性有機膜は、(1)導電性重合体と、(2)この導電性重合体にドーピングされる、?@アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を有するスルホン基含有化合物、?Aこのスルホン基含有化合物からなる構成単位を有する重合体の少なくとも一方と、を有する。導電性有機膜の厚さは10nm以上、5μm以下であることが好ましい。また、導電性有機膜を加熱するためのヒータ5が窒化珪素等からなる絶縁層43に埋設されて付設されており、検知電極2が導電性有機膜3に埋設されていることが好ましい。
Claim (excerpt):
導電性有機膜と、該導電性有機膜と接する検知電極とを備えるガスセンサであって、該導電性有機膜は、(1)導電性重合体と、(2)該導電性重合体にドーピングされた下記?@及び?Aの少なくとも一方と、を有することを特徴とするガスセンサ。?@アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を有するスルホン基含有化合物?A該スルホン基含有化合物からなる構成単位を有する重合体
IPC (2):
G01N 27/12 ,  G01N 27/416
FI (3):
G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/46 371 G
F-Term (15):
2G046AA10 ,  2G046AA18 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046DB05 ,  2G046EA01 ,  2G046EA02 ,  2G046FA01 ,  2G046FA04 ,  2G046FE03 ,  2G046FE38
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
Show all

Return to Previous Page