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J-GLOBAL ID：200903014595660935
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186791
Publication number (International publication number)：2004031694
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を備えて優れた書き込み・読み出し特性を有する磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】対の強磁性層(磁化固定層5と磁化自由層7)が中間層6を介して対向され、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成であり、磁化自由層7がFeCoB或いはFeCoNiBを含有する強磁性材料から成り、かつ磁化自由層7の膜厚が2nm以上8nm以下である磁気抵抗効果素子1、並びにこの磁気抵抗効果素子1と磁気抵抗効果素子1を厚み方向に挟むビット線及びワード線とを備えた磁気メモリ装置を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、
上記強磁性層の一方が磁化固定層であり、もう一方が磁化自由層であり、
上記磁化自由層は、FeCoB或いはFeCoNiBを含有する強磁性材料から成り、
かつ上記磁化自由層の膜厚が2nm以上8nm以下である
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L43/08
, H01F10/32
, H01L27/105
H01L43/08 Z
, H01F10/32
, H01L27/10 447
5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5F083FZ10
, 5F083GA15
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA19
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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