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J-GLOBAL ID：200903014603345700

GaN系半導体発光素子

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

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只友 一行

About 只友 一行

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大内 洋一郎

About 大内 洋一郎


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058733
Publication number (International publication number)：2003258302
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 発光層のIn組成比が小さくとも、従来より高出力の紫外線発光が可能なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板B1上にバッファ層B2を介してまたは直接的にGaN系結晶層からなる積層構造Sを形成し、GaN系半導体発光素子とするに際し、発光層(図1では、量子井戸構造2に含まれる井戸層)と結晶基板B1との間に位置するGaN系結晶層1のキャリア濃度が、該層の面拡張方向に不均一となるように、該層1を形成する。これによって、発光層のIn組成揺らぎが増長し、In組成比が低くとも、より高出力が得られる。
Claim (excerpt)：
結晶基板上にバッファ層を介してまたは直接的にGaN系結晶層からなる積層構造が形成された素子構造を有するGaN系半導体発光素子であって、該積層構造にはInGaN系発光層が含まれており、該発光層と結晶基板との間にはGaN系結晶層が存在し、該結晶層のキャリア濃度が該層の面拡張方向に不均一となっていることを特徴とする、GaN系半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (16)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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