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J-GLOBAL ID：200903014645504298

ウエーハの研磨方法

Inventor： 藤沢 洋一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996288243
Publication number (International publication number)：1998135161
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 表面汚染の少ないシリコン研磨方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエーハ2を研磨した後,直ちにシリコンを酸化しシリコン酸化膜を形成する薬液6aを研磨盤1上に散布して研磨面にシリコン酸化膜を形成する。活性な研磨面が酸化膜により保護されその後の洗浄工程での汚染が阻止される。薬液6aには,過酸化水素水,オゾン水,硫酸水溶液若しくは硝酸水溶液若しくはこれらの混合液,又は過酸化水素水とアンモニア水との混合液がある。

Claim (excerpt)：

ウエーハの主面に表出するシリコンを研磨する研磨工程と,該研磨工程終了後に該ウエーハを洗浄する洗浄工程とを有するウエーハの研磨方法において,該研磨工程後該洗浄工程前に,該シリコンの研磨面を薬液を用いて酸化し,該研磨面にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有することを特徴とするウエーハの研磨方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-275629
  
• 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-011399   Applicant：住友電気工業株式会社
• 化学的機械研磨方法および化学的機械研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057545   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平2-275629