Pat

J-GLOBAL ID：200903044971385130

化学的機械研磨方法および化学的機械研磨装置

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057545
Publication number (International publication number)：1996255774
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセス中に発生する層間絶縁膜等の段差の平坦化に適用する、均一性にすぐれた化学的機械研磨方法および化学的機械研磨装置を提供する。【構成】 化学的機械研磨工程中に、洗浄液供給ノズル19より洗浄液を供給し、被処理基板11表面を洗浄する。洗浄液供給ノズル19には、超音波印加手段20を設けてもよい。【効果】 被処理基板11表面に滞留する、研磨された材料を含む古いスラリを除去し、新しいスラリを供給できるので、被処理基板11の段差パターン依存性のない平坦化が可能であり、研磨速度の低下もない。

Claim (excerpt)：

化学的機械研磨により、段差を有する被処理基板表面を平坦化する工程を有する化学的機械研磨方法において、前記化学的機械研磨工程中に、該被処理基板表面の洗浄工程を、少なくとも一回施すことを特徴とする、化学的機械研磨方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 341 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/12 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306

FI (7)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 341 N ,  B08B 3/02 D ,  B08B 3/12 Z ,  B24B 37/00 F ,  H01L 21/306 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275802   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社