工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：合田潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048395
Publication number (International publication number)：1996037180
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、エッチング工程の間に、好ましくない皮膜がデバイスの内壁に付着するのを防止する、半導体デバイスをエッチングする方法およびデバイスを提供することにある。【構成】エッチング・デバイスのためのシステムは、耐付着表面、エッチングされるデバイスを保持するためのホルダ、およびチェンバ壁面への皮膜の形成を妨害するため、耐付着表面を100ないし600°Cに加熱するヒータを備えたエッチング・チェンバを有する。このエッチング・デバイスはさらに、基板をエッチングするのに使用するプラズマを妨害することなく、ホルダを包囲する耐付着性の表面を含んでもよい。

Claim (excerpt)：

耐付着表面手段を有するエッチング・チェンバと、上記エッチング・チェンバ内にあり、上記耐付着表面手段に包囲された、デバイスを保持する手段と、上記エッチング・チェンバ内の皮膜形成を阻止するために、上記耐付着表面手段を100°Cないし600°Cの温度に加熱するための手段と、を具備する、好ましくない皮膜の付着を防止するプラズマ・エッチング・デバイス。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-075733 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-016730
特開平4-316327

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