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J-GLOBAL ID：200903014677613781
不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001006995
Publication number (International publication number)：2001247311
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 11, 2001
Summary：
【要約】【目的】超伝導異方性が小さく、高い臨界電流密度(Jc)と、大きい不可逆磁界(Hirr)、擬等方的な、層に垂直方向(この方向をc軸方向、層面内をab軸とする)の長いコヒーレンス長ξc をもち、且つ超伝導臨界温度( Tc ) が例えば100K以上の高温超伝導体を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層の2次元的な層状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成する原子の一部を超伝導性をもつ原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、超伝導層の厚さを大きくして超伝導異方性を低くしたことを特徴とする低異方性高温超伝導体。
Claim (excerpt)：
2次元的な層状構造をもつ超伝導体が組成式Cu<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>(Ba<SB>1-y</SB>Sr<SB>y</SB>)<SB>2</SB>(Ca<SB>1-z</SB>L<SB>z</SB>)<SB>n-1</SB>Cu<SB>n</SB>O<SB>2n+4-w</SB> (式中、M=Tl,L=Li,Na,Y,ランタニド系列元素の一元素又は複数元素、0 <x < 0.7, 0≦y ≦1, 0≦z ≦1, 0≦w ≦4, 3≦n ≦16)で記述できる銅酸化物超伝導体である低異方性高温超伝導体。
IPC (6)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C23C 14/08
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, C23C 14/08 L
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
