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J-GLOBAL ID：200903014679039080

半導体電極およびその製造方法、ならびにそれを用いた色素増感型太陽電池

Inventor： 牧 都 ,  森崎 勝彦
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003168114
Publication number (International publication number)：2004363069
Application date： Jun. 12, 2003
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】増感色素を吸着させる金属酸化物層を緻密な構造を有する金属酸化物層と多孔質構造を有する金属酸化物層からなる2層構造とする色素増感型太陽電池が開示されているが、この2層構造であっても、導電性ガラス基板と緻密な構造を有する金属酸化物層、さらには緻密層と多孔質構造を有する金属酸化物層との密着性が未だ十分とはいえない。【解決手段】導電性基板3上に、非晶質金属酸化物を含む塗布液を塗布し結晶化せずに、さらに金属酸化物の粒子を塗布し、これらを同時に加熱処理することで緻密な結晶化粒子からなる下地層7と多孔質な金属酸化物層8とを形成する半導体電極2の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

非晶質金属酸化物を含む塗布液を導電性基板上に塗布して下地層を形成して作製されることを特徴とする半導体電極。

IPC (2)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (14)：

5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032HH00 ,  5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光増感型太陽光発電セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-093909   Applicant：株式会社東芝
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-119799   Applicant：ミノルタ株式会社
• 光増感型太陽光発電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-087749   Applicant：株式会社東芝