光増感型太陽光発電素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087749
Publication number (International publication number)：2000285974
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】電荷輸送層と透明電極間の電気回路の短絡を防止し、また透明導電膜とn型半導体電極間の剥離を防止して長期信頼性を向上させた光増感型太陽光発電素子を提供する事を課題とする。【解決手段】光増感型太陽光発電素子のn型半導体電極の構造を膜厚0.01μm以上0.6 μm以下の緻密な部分と多孔部分の積層に規定する。

Claim (excerpt)：

光受光面を有する第1の基板と、この第1の基板の前記光受光面と対向する面に形成された透明導電膜と、この透明導電膜表面に形成され色素を吸着したn型半導体電極と、このn型半導体電極に隣接して形成された電荷輸送層と、前記第1の基板と対向する側で且つ前記電荷輸送層を介して形成され表面に導電膜を有する第2の基板とを具備する光増感型太陽光発電素子において、前記n型半導体電極は厚さ0.01μm以上0.6 μm以下の緻密な部分と多孔部分の積層構造であることを特徴とする光増感型太陽光発電素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

F-Term (9)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032EE02 , 5H032EE07 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032HH02 , 5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

酸化チタン多孔質薄膜光触媒及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-341563 Applicant：工業技術院長
光起電力装置及び光起電力装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-213796 Applicant：三洋電機株式会社
太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-119799 Applicant：ミノルタ株式会社

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