半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074578
Publication number (International publication number)：1999274484
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】トレンチゲート構造を有する縦型IGBTのオン電圧の低減化を図ること。【解決手段】p型ドレイン層1と、このp型ドレイン層1上に設けられた高抵抗のn型ベース層3と、このn型ベース層3の表面に形成されたp型ベース層4と、このp型ベース層4の表面に形成された複数のn型ソース層5と、これらのn型ソース層5およびp型ベース層4を貫き、n型ベース層3の途中の深さまで達した複数のトレンチ6内にゲート酸化膜7を介して形成されたゲート電極8と、p型ベース層4の表面にn型ソース層5と接して形成されたp型コンタクト層9とを有するIGBTにおいて、トレンチの間隔を1.5μm以下に設定する。

Claim (excerpt)：

高抵抗で第1導電型の第1ベース層と、この第1ベース層に設けられた第2導電型のドレイン層と、前記第1ベース層の表面に形成された第2導電型の第2ベース層と、この第2ベース層の表面に形成された第1導電型のソース層と、このソース層および前記第2ベース層を貫いて前記第1ベース層の途中の深さまで達する複数のトレンチ内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ドレイン層に設けられたドレイン電極と、前記ソース層および前記第2ベース層に設けられたソース電極とを具備してなり、前記トレンチの間隔が1.5μm以下であることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 655 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231513 Applicant：株式会社東芝
特開平1-165161
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-054656 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (2)

電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-231513 Applicant：株式会社東芝
特開平1-165161

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