Pat
J-GLOBAL ID：200903014693556020

高速フォトダイオード、およびこれを形成する方法

Inventor：
ガイ・モシェ・コーエン

About ガイ・モシェ・コーエン

, 
キーキン・シー・オウヤン

About キーキン・シー・オウヤン

, 
ジェレミー・ダニエル・シャウ

About ジェレミー・ダニエル・シャウ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション


Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003413962
Publication number (International publication number)：2004200685
Application date： Dec. 11, 2003
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】遅いキャリアが本質的に非常にわずかな(または、好ましくは無い)、かつ実質的にエタロン効果の無い、高速フォトダイオードを提供すること。【解決手段】構造(およびこの構造を形成する方法)は、光検出器110と、この光検出器の下方に形成された基板100Aと、この基板の上方に形成されたバリヤ層105とを含む。この埋込みバリヤ層は、ドリフト電界が低い領域で遅い光子発生キャリアをブロックまたは除去するために、単一または二重pn接合、あるいはバブル層を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
光検出器と、 前記光検出器の下方に形成された基板と、 前記基板と光検出器の間に形成された、遅い光キャリアを除去するためのバリヤ層と、 を含むデバイス。
IPC (3)：
H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (3)：
H01L31/10 A ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 A
F-Term (19)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA17 ,  4M118EA01 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5F049MA02 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049QA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • IBM整理番号YOR920000052US1を有し、「Silicon-on-insulatortrench photodiode structure for improved speed and differential isolation」と題する、2000年10月3日に出願され、本発明の譲受人に譲渡されたY.H.Kwark他の米国特許出願第09/678,315号
  • 「Lateral trench optical detector」と題するJ.Crow他の米国特許第6,177,289号
  • 「Methods for forming lateral trenchoptical detectors」と題するM. Yang他の米国特許第6,451,702号
Show all
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM