窒化ガリウム系化合物半導体発光デバイス及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997159724
Publication number (International publication number)：1998084167
Application date： Jun. 17, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体層の損傷に起因するテバイスの歩留りの低下や特性の劣化を防止する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体発光デバイスは、サファイア基板11を支持体とすると共に表裏両面にn型16及びp型15電極を有する。サファイア基板には、上面から下面に貫通し且つ下方に向かって収束するように傾斜する両側壁面11bを有する溝11aが形成される。サファイア基板上にバッファ層12が配設され、更にその上にn型層及びp型層を含む窒化ガリウム系化合物半導体多重層13が配設される。半導体多重層は、両側壁面に沿って配設された両側部分と、両側部分の問に位置し且つ両側部分19と-体的に形成された中央部分18とを有する。n型及びp型電極は、半導体多重層の中央部分を挟んで対向するように配設される。

Claim (excerpt)：

上面から下面に貫通し且つ下方に向かって収束するように傾斜する両側壁面を有する溝が形成されたサファイア基板と、前記サファイア基板に支持され、前記両側壁面に沿って配設された両側部分および前記両側部分の間に位置し且つ前記両側部分と一体的に形成された中央部分とを有する、n型層及びp型層を含む窒化ガリウム系化合物半導体多重層と、前記デバイスの上下に位置するように、前記半導体多重層の上下面に夫々接続された第1及び第2電極と、を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光デバイス。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 , H01L 21/28 U , H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105763 Applicant：三菱電機株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-220206 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-014569 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (1)

半導体レ-ザダイオ-ドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105763 Applicant：三菱電機株式会社

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