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J-GLOBAL ID：200903014747178468

半導体装置の製造方法

Inventor： 長瀬 弘昌
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240206
Publication number (International publication number)：1995099178
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 コンタクト前処理に関し,熱酸化工程を省略して,コンタクトホール内の損傷層を除去できるようにし,良好なコンタクトを得る。【構成】 シリコン基板 1上に層間絶縁膜 5とレジスト膜 6を順に被着し,コンタクトホール形成部の該レジスト膜を開口し,レジスト膜をマスクにして層間絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを形成し,室温でレジスト膜を酸素プラズマを用いたアッシングにより除去し,シリコン基板をフッ酸溶液中に浸漬して,該アッシングにより該コンタクトホール内の該シリコン基板の表面に生成した酸化膜 8を除去し, シリコン基板を加熱した過酸化水素と硫酸の混液中に浸漬して再びシリコン基板表面を酸化し,シリコン基板をフッ酸溶液中に浸漬して損傷層を除去し, コンタクトホールを覆ってシリコン基板に接続する配線膜をシリコン基板上に成膜する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板(1) の表面を酸素プラズマを用いて酸化する工程と,次いで,該シリコン基板をフッ酸溶液中に浸漬する工程と,次いで,該シリコン基板を加熱した過酸化水素と硫酸の混液中に浸漬する工程と,次いで,該シリコン基板をフッ酸溶液中に浸漬する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-002006   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭49-107478