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J-GLOBAL ID：200903014859117054

SiCモニタウェハ製造方法

Inventor： 山田 公 ,  松尾 二郎 ,  豊田 紀章 ,  村田 和俊 ,  宮武 直正
Applicant, Patent owner： 三井造船株式会社
Agent (1)： 村上 友一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002045725
Publication number (International publication number)：2003249426
Application date： Feb. 22, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 パーティクル検出が可能となるまで表面を平坦にすることのできるSiCモニタウェハを得る。【解決手段】 CVD(Chemical Vapor Deposition)法で結晶系3CのSiCを基板上に堆積させ、このSiCを基板から脱離する。このSiCを機械研磨単独またはCMP(Chemo Mechanical Polishing)との併用によりSiC表面を平坦化させた後、その表面粗さがRa=0.5nm以下、かつウェハ表面の不純物密度を1×1011atoms/cm2以下となるまで、GCIB(Gas Cluster Ion Beam)を表面に照射して作製する。

Claim (excerpt)：

CVD(Chemical Vapor Deposition)法で結晶系3CのSiCを基板上に堆積させ、このSiCを基板から脱離、機械研磨単独またはCMP(Chemo Mechanical Polishing)との併用によりSiC表面を平坦化させた後、その表面粗さがRa=0.5nm以下、かつウェハ表面の不純物密度を1×1011atoms/cm2以下となるまで、GCIB(Gas Cluster Ion Beam)を表面に照射して作製することを特徴とする超平坦で清浄な表面を有するSiCモニタウェハ製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205

F-Term (16)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077FG02 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ01 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045HA13