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J-GLOBAL ID:200903014914723570

高分子膜型電極の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994117040
Publication number (International publication number):1995326365
Application date: May. 30, 1994
Publication date: Dec. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 電極反応に必要な部位のみに触媒金属を析出できる高分子膜型電極の製造方法を提供すること。【構成】 陽イオン交換樹脂22を溶解し、その溶液を導電性多孔質層52の表面に塗布し、乾燥させ、導電性多孔質層52上の陽イオン交換樹脂22に触媒金属イオンを含む陽イオンを置換吸着させた後、その触媒金属イオンを含む陽イオンをもつ陽イオン交換樹脂22を還元させて導電性多孔質層52の表面に触媒金属21を析出させる高分子膜型電極1の製造方法。
Claim (excerpt):
陽イオン交換樹脂を溶解し、その溶液を導電性多孔質層の表面に塗布し、乾燥させ、導電性多孔質層上の陽イオン交換樹脂に触媒金属イオンを含む陽イオンを置換吸着させた後、その触媒金属イオンを含む陽イオンをもつ陽イオン交換樹脂を還元させて前記導電性多孔質層の表面に触媒金属を析出させる高分子膜型電極の製造方法。
IPC (6):
H01M 4/88 ,  C25B 9/00 302 ,  C25B 11/06 ,  C25B 11/12 ,  C25B 13/08 ,  H01M 4/86
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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