プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、半導体装置の製造方法及びマイクロ波分散板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：飯塚雄二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997101017
Publication number (International publication number)：1998284293
Application date： Apr. 03, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】同一仕様で製造された異なるマイクロ波分散板を使用した装置間におけるプラズマ再現性の向上を図ること。【解決手段】マイクロ波分散板(18)を介してマイクロ波を真空容器(12,14)に導入する。その際に生じる漏洩電界を、開口部(44)内のマイクロ波進行方向の所定位置に集中させる。

Claim (excerpt)：

真空容器内に導入されたマイクロ波によって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置された試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記マイクロ波をマイクロ波分散板を介して前記真空容器に導入する工程と;前記マイクロ波が前記マイクロ波分散板の開口部を通過する際に生じる漏洩電界を、前記開口部内のマイクロ波進行方向の所定位置に集中させる工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7)：

H05H 1/46 B , H05H 1/46 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-209484
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-239942 Applicant：堀池靖浩, 株式会社神戸製鋼所
特開平3-020460

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