シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049709
Publication number (International publication number)：1998229093
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリコンウェーハに切り出した後のEG効果が期待できる処理を一切施すことなく、エピタキシャルウェーハのデバイスプロセスにおける1080°C以下の低温のデバイス製造工程においても充分なゲッタリング効果(IG)が発揮できるシリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】 CZ法によるシリコン単結晶を引き上げる際に、酸素濃度、炭素濃度をを適宜制御すると共に、シリコンウェーハに切り出した後、低温にて短時間のアニールを実施することによりゲッタリング能(IG)を持たせる以外は、従来のシリコンウェーハ成形後に施される各種の複雑なEG処理を一切施さないことによる省工程化ができ、低コストが図られ、エピタキシャルウェーハを使った低温のデバイスプロセスで発生するゲッタリング能(IG)の付与が可能で、高精度平坦度実現のため、両面鏡面研磨仕上げが必要となった場合にもEGが必要ないため、高精度化に対応し得る基板の作製が可能。

Claim (excerpt)：

酸素濃度が12〜18×1017atoms/cm3(OLDASTM法)、炭素濃度が0.3〜2.5×1016atoms/cm3(NEW ASTM法)の各範囲に制御してCZ法にて引き上げられたシリコン単結晶を、シリコンウェーハに切り出した後、600°C以上、900°C以下の温度で15分以上、4時間以下の条件にてアニールを行い、EG効果が期待できる処理を一切施すことなく、ウェーハの片面又は両面を鏡面研磨仕上げし、さらにその表面にエピタキシャル膜を成膜するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 , C30B 33/02 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/322 Y , C30B 33/02 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭58-197716
特開平3-050186
特開平4-061343

Show all

Return to Previous Page