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J-GLOBAL ID：200903042312172984

シリコンウェーハとその製造方法

Inventor：
藤川 孝

About 藤川 孝


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216583
Publication number (International publication number)：1998050715
Application date： Jul. 29, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 エピ・ウェーハの低コスト化を図るために工程をできるだけ簡素化して、ウェーハに切り出し成形後のEG効果が期待できる処理を一切施すことなく、ウェーハのデバイスプロセスにおける種々の汚染に対するゲッタリング能を向上させたエピ・ウェーハ並びにその製造方法の提供。【解決手段】 酸素濃度を比較的高く、かつ意図的に炭素濃度を高くするようにCZ法にて育成されたシリコン単結晶は、EG処理を施すことなく、ウェーハ自体に優れたゲッタリング能が発揮される。
Claim (excerpt)：
CZ法にて育成されたシリコン単結晶であり、酸素濃度が12〜27×1017atoms/cm3、炭素濃度が0.5〜32×1016atoms/cm3の各範囲にあり、EG効果が期待できる処理が全く施されていないウェーハの表面にエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェーハ。
IPC (2)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭59-082717
  • 特開昭58-197716
  • 半導体基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-136805   Applicant：住友金属工業株式会社
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