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J-GLOBAL ID：200903015001375418

窒化物半導体単結晶基板とその合成方法

Inventor： 藤原 伸介 ,  中畑 成二
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009001808
Publication number (International publication number)：2009078972
Application date： Jan. 07, 2009
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、GaNの組成と、1×1017cm-3以下の全不純物密度と、1.2MPa・m1/2以上の破壊靭性値と、20cm2以上の面積をと有することを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaNの組成と、1×1017cm-3以下の全不純物密度と、1.2MPa・m1/2以上の破壊靭性値と、20cm2以上の面積と、を有することを特徴とする窒化物半導体単結晶基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

F-Term (29)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TB02 ,  4G077TK01 ,  5F045AA01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA59 ,  5F045DA62 ,  5F045DP13 ,  5F045EC02 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体製造装置及び半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-161550   Applicant：松下電器産業株式会社
• 照明装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-082448   Applicant：三協アルミニウム工業株式会社, 小糸工業株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363030   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III-V族窒化物膜の製造装置及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-207785   Applicant：日本碍子株式会社