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J-GLOBAL ID：200903083695124277

窒化物半導体素子の製造方法

Inventor：
小崎 徳也

About 小崎 徳也

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001363030
Publication number (International publication number)：2002261014
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：
【要約】【目的】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±1μm以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±0.5μm以下である。前記窒化物半導体基板はn型不純物がドープされている。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を100μm以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±1μm以下になるまで表面研磨した研磨面に成長されたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (60)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045GH09 ,  5F045HA16 ,  5F052JA07 ,  5F052JA08 ,  5F052JA09 ,  5F052KA02 ,  5F052KA03 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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