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J-GLOBAL ID:200903015003789910
マイクロ波加熱装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006532173
Publication number (International publication number):2007515751
Application date: Apr. 30, 2004
Publication date: Jun. 14, 2007
Summary:
負荷の加熱を目的とするマイクロ波加熱装置であって、周辺壁部によって取囲まれた筒形の空洞(2)を含み、該空洞にはマイクロ波供給手段(10)が設けられる。この加熱装置は、該空洞内において該周辺壁部と該負荷との間に配置される誘電性壁部構造(8)を含み、該マイクロ波供給手段は、負荷を加熱するために、該空洞内においてTE型およびTM型の特性を有するアーチ面ハイブリッドモードであるマイクロ波の場を生成するように配置される。
Claim (excerpt):
負荷を加熱することを目的とするマイクロ波加熱装置であって、周辺壁部に取囲まれた筒形の空洞(2)を含み、前記空洞にはマイクロ波供給手段(10)が設けられ、
前記加熱装置が、前記空洞内において前記周辺壁部と前記負荷との間に配置される誘電性壁部構造(8)を含み、前記マイクロ波供給手段が、負荷を加熱するために、前記空洞内においてTE型およびTM型の特性を有するアーチ面ハイブリッドモードであるマイクロ波の場を生じるように配置されることを特徴とする、マイクロ波加熱装置。
IPC (3):
H05B 6/74
, H05B 6/72
, H02J 17/00
FI (3):
H05B6/74 E
, H05B6/72 C
, H02J17/00 A
F-Term (5):
3K090AA20
, 3K090AB20
, 3K090BB01
, 3K090CA13
, 3K090DA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-132666
Applicant:住友金属工業株式会社, ラムリサーチコーポレーション
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円筒状マイクロ波アプリケータ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-501101
Applicant:ザラブブライトグループ,インク.
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