半導体装置、ウェハ状半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003349610
Publication number (International publication number)：2005116806
Application date： Oct. 08, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】従来のTCPやCOFのボンディング工程を活用し、ウェハレベルで簡単に形成可能な小型の半導体装置を提供する【解決手段】半導体ウェハ10と、半導体ウェハ10の各半導体チップ領域に対応して、複数の配線領域が形成されたフレキシブル配線基板20とを、所定の間隔を隔てて平行になるようにボンディング装置に搭載する。次に、従来のTCPやCOFのボンディングと同様に、所定の温度に加熱された加圧ツール44を下方に駆動し、フレキシブル配線基板20を半導体ウェハ10に所定時間加圧する。半導体ウェハ10とフレキシブル配線基板20との間には隙間が設けられているが、フレキシブル配線基板20が、その可撓性によって撓むことで、加圧ツール44の下方にある電極15にリード32が加圧されて熱圧力接合される。一方、加圧ツール44で直接加圧されない隣接する半導体チップ領域の電極15は、その上方にあるリード32に接触することはない。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

複数の電極を備えた半導体チップ領域が複数形成された半導体ウェハと、複数のリードを備えた複数の配線領域が前記複数の半導体チップ領域と同一のピッチで形成されたフレキシブル配線基板とを、前記電極と前記リードとが対向するように位置合わせする工程と、前記電極と前記リードとを接合する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L21/60

FI (1)：

H01L21/60 311Q

F-Term (4)：

5F044KK03 , 5F044KK06 , 5F044LL00 , 5F044RR19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-237653 Applicant：日本電気株式会社

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