超電導体への最適化された着磁方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (4)：吉武賢次 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 勝沼宏仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004250368
Publication number (International publication number)：2006066801
Application date： Aug. 30, 2004
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】短時間で強度の強い捕捉磁場を着磁させることができる超電導体への最適化された着磁方法を提供する。【解決手段】超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、前記パルス磁場の磁場波形は、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、バルク超電導体に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に所定時間保持された着磁段階と、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、前記パルス磁場の磁場波形は、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、バルク超電導体に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に所定時間保持された着磁段階と、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、を有することを特徴とする超電導体への最適化された着磁方法。

IPC (2)：

H01F 13/00 , H01F 6/00

FI (2)：

H01F13/00 , H01F7/22 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

超電導体の着磁方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-327899 Applicant：アイシン精機株式会社
超電導体の着磁方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-292539 Applicant：株式会社イムラ材料開発研究所

Cited by examiner (4)

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-083854 Applicant：アイシン精機株式会社
ロングパルス磁場の発生方法とその発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-334759 Applicant：科学技術振興事業団
超電導体の着磁方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-327899 Applicant：アイシン精機株式会社