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J-GLOBAL ID：200903015150846822

多結晶シリコンデバイス

Inventor： 石原 俊一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050844
Publication number (International publication number)：1995263731
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 多結晶シリコンの欠陥を抑えて光電変換効率等の特性を改善した、低コストの多結晶シリコンデバイスを提供する。【構成】 結晶シリコンとは異なる材料の基板1上に多結晶シリコン4を堆積したデバイスにおいて、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ZnO層3が存在することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

結晶シリコンとは異なる材料の基板上に多結晶シリコンを堆積したデバイスにおいて、前記基板と前記多結晶シリコンとの間に、ZnO層が存在することを特徴とする多結晶シリコンデバイス。

FI (2)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-223805   Applicant：キヤノン株式会社