半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124610
Publication number (International publication number)：2000315818
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 p型不純物元素の活性化率が高く、抵抗率の低いp型半導体層を有した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 p型GaN系化合物半導体層15を堆積する工程と、n型GaN系化合物半導体層16を堆積する工程と、水素ガスを含む雰囲気中で原子状水素(H)をp型GaN系化合物半導体層15に溶解させる温度範囲に存在する基板温度まで冷却する工程と、n型GaN系化合物半導体層15に接して、金属薄膜18を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

第1の基板温度において、水素ガスを含む雰囲気中で、p型ドーパントガスを導入しながらエピタキシャル成長することにより、p型窒化ガリウム系化合物半導体層を堆積する工程と、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に直接若しくは間接的に、第2の基板温度において、前記水素ガスを含む雰囲気中で、n型ドーパントガスを導入しながらエピタキシャル成長することにより、n型窒化ガリウム系化合物半導体層を堆積する工程と、前記水素ガスを含む雰囲気中で、前記第1及び第2の基板温度より低く、且つ原子状水素を前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層に溶解させる温度範囲に存在する第3の基板温度まで冷却する工程と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層に接して、金属薄膜を堆積する工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (39)：

5F041AA41 , 5F041AA42 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA59 , 5F045DA66 , 5F045EB15 , 5F045EJ02 , 5F045HA16 , 5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝
面発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161148 Applicant：大同特殊鋼株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-294711 Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (1)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-043581 Applicant：株式会社東芝

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