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J-GLOBAL ID:200903015279892839
微小空洞共振器式OLEDデバイス
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (5):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004009559
Publication number (International publication number):2004228082
Application date: Jan. 16, 2004
Publication date: Aug. 12, 2004
Summary:
【課題】 輝度効率及び色質を改良した微小空洞共振器式OLEDデバイスを提供すること。【解決手段】 (a)基板、(b)該基板の一表面上に配置された金属底部電極層、(c)該金属底部電極層の上に配置された有機EL要素、及び(d)該有機EL要素の上に配置された金属上部電極層を含んで成る微小空洞共振器式OLEDデバイスであって、該金属電極層の一方が半透明であり、その他方が実質的に不透明かつ反射性であり、該不透明かつ反射性である金属電極層の材料がAg、Au、Al又はこれらの合金から選択され、該半透明である金属電極層の材料がAg、Au又はこれらの合金から選択され、そして該半透明である金属電極層の厚さ及び該発光層の位置が、該微小空洞共振器式OLEDデバイスの発光出力が該微小空洞共振器を具備しない同等なデバイスよりも高くなるように選定されている、ことを特徴とする微小空洞共振器式OLEDデバイス。【選択図】 図3-a
Claim (excerpt):
(a)基板、
(b)該基板の一表面上に配置された金属底部電極層、
(c)該金属底部電極層の上に配置された有機EL要素、及び
(d)該有機EL要素の上に配置された金属上部電極層
を含んで成る微小空洞共振器式OLEDデバイスであって、該金属電極層の一方が半透明であり、その他方が実質的に不透明かつ反射性であり、該不透明かつ反射性である金属電極層の材料がAg、Au、Al又はこれらの合金から選択され、該半透明である金属電極層の材料がAg、Au又はこれらの合金から選択され、そして該半透明である金属電極層の厚さ及び該発光層の位置が、該微小空洞共振器式OLEDデバイスの発光出力が該微小空洞共振器を具備しない同等なデバイスよりも高くなるように選定されている、ことを特徴とする微小空洞共振器式OLEDデバイス。
IPC (3):
H05B33/26
, H05B33/14
, H05B33/24
FI (3):
H05B33/26 Z
, H05B33/14 A
, H05B33/24
F-Term (8):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007AB18
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DB03
, 3K007EA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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