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J-GLOBAL ID：200903015290497151

エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 飯泉 安広 ,  下河原 匡哉
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (2)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007256871
Publication number (International publication number)：2009087783
Application date： Sep. 28, 2007
Publication date： Apr. 23, 2009
Summary：

【課題】本発明は、量子ドットを含有する発光層を有し、寿命特性が良好なEL素子を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、第1電極層と、上記第1電極層上に形成された発光層と、上記発光層上に形成された第2電極層とを有するEL素子であって、上記発光層に、周囲にシランカップリング剤が配置された量子ドットを用いることを特徴とするEL素子を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極層と、前記第1電極層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2電極層とを有するエレクトロルミネッセンス素子であって、 前記発光層に、周囲にシランカップリング剤が配置された量子ドットを用いることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (10)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/20 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/88 ,  C09K 11/56 ,  C09K 11/70 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/59 ,  C09K 11/64

FI (10)：

H05B33/14 Z ,  H05B33/20 ,  C09K11/02 Z ,  C09K11/08 G ,  C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  C09K11/62 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64

F-Term (13)：

3K107AA06 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC21 ,  3K107DD57 ,  3K107DD67 ,  3K107DD98 ,  4H001CA05 ,  4H001CC11 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-581553   Applicant：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー, ユニバーサルディスプレイコーポレーション
• 量子ドットを含むエレクトロルミネセントデバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-506656   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ