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J-GLOBAL ID:200903015396107085

炭酸ジエステルの精製法及びその精製法によって得られた炭酸ジエステルを用いて製造したポリカーボネート

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993169124
Publication number (International publication number):1995025830
Application date: Jul. 08, 1993
Publication date: Jan. 27, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】 (a)炭酸ジエステルをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理することを特徴とする炭酸ジエステルの精製法及び(b)その精製法によって得られる加水分解可能な塩素含有量が5ppm 以下、スズイオン含有量が5ppm 以下、ナトリウムイオン含有量が5ppm 以下、鉄イオン含有量が1ppm 以下、水分が100ppm以下であることを特徴とする炭酸ジエステルを用いて塩基性エステル交換触媒存在下、2価フェノールと溶融重縮合させて得られるポリカーボネート。【効果】 色相(YI)が優れたポリカーボネートが得られる。
Claim (excerpt):
炭酸ジエステルをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理することを特徴とする炭酸ジエステルの精製法。
IPC (4):
C07C 69/96 ,  C07C 68/08 ,  C08G 64/04 ,  C08G 64/30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-358020   Applicant:株式会社サンシ-ル
  • 特開昭61-210057
  • 特開昭55-059144
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