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J-GLOBAL ID：200903015412703572

レジストパターンの形成方法

Inventor： 西村 幸生 ,  甲斐 敏之 ,  小林 英一 ,  塩谷 健夫
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999059808
Publication number (International publication number)：2000258912
Application date： Mar. 08, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 湿式現像後の膜減り量を比較的大きな値に保持して現像欠陥のないレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜の未露光部の膜厚が、湿式現像後において、湿式現像前の膜厚よりも100オングストローム〜400オングストロームの範囲で減少するように、該化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物の組成を制御することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜の未露光部の膜厚が、湿式現像後において、湿式現像前の膜厚よりも100オングストローム〜400オングストロームの範囲で減少するように、該化学増幅ポジ型感放射線性樹脂組成物の組成を制御することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (17)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-191545   Applicant：日立化成工業株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-328680   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-261873   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-032284   Applicant：松下電器産業株式会社