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J-GLOBAL ID：200903015415433568

薄膜トランジスタ

Inventor： 井樋田 悟史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992086812
Publication number (International publication number)：1993299655
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】ゲート電極をAlとAl合金の2層で構成し、工程数を増すことなく、ヒロックやマイグレーションによる断線のない高信頼性の配線を得る。【構成】透明基板上にAl合金12とAl13を連続成膜し、フォトリソグラフィ技術により1回のエッチングでパターンを切りゲート電極を作る。次に陽極酸化処理により、ゲート電極上の絶縁膜として緻密なAl2 O3 膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、絶縁膜と、半導体層と、ソース・ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極がAlとAlを主成分とする合金の2層で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/46

FI (2)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-120068
  
• 特開平4-353830
  
• 金属配線、及びそれを用いた半導体装置及びTFT液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-317699   Applicant：松下電器産業株式会社